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Wafer-level integration of NiTi shape memory alloy wires for the fabrication of microactuators using standard wire bonding technology

机译:采用标准引线键合技术的NiTi形状记忆合金线的晶圆级集成,用于制造微执行器

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摘要

This paper reports on the first integration of SMA wires into silicon based MEMS structures using a standard wire bonder. This approach allows fast and efficient placement, alignment and mechanical attachment of NiTi-based SMA wires to silicon-based MEMS. The wires are mechanically anchored and clamped into deep-etched silicon structures on a wafer. The placement precision is high with an average deviation of 4 #x03BC;m and the mechanical clamping is strong, allowing successful actuation of the SMA wires.
机译:本文报告了使用标准引线键合机将SMA线首次集成到基于硅的MEMS结构中的过程。这种方法可以将基于NiTi的SMA线快速有效地放置,对准和机械连接到基于硅的MEMS。将导线机械锚固并夹紧到晶片上的深蚀刻硅结构中。贴装精度高,平均偏差为4#x03BC; m,机械夹紧力强,可以成功驱动SMA导线。

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